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首页 - 课程列表 - 课程详情
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半导体物理学
课程类型：
选修课
发布时间：
2024-04-22 09:55:33
主讲教师：
课程来源：
建议学分：
0.00分
课程编码：
chmk003403
课程介绍
课程目录
教师团队
{1}--第一章
[1.1]--1.1 半导体中的电子状态和能带
（10分钟）
[1.2]--1.2 半导体中的电子运动、有效质量
（9分钟）
[1.3]--1.4 载流子的回旋共振
（12分钟）
{2}--第二章
[2.1]--2.1 杂质和杂质能级
（12分钟）
[2.2]--2.2 缺陷及其作用_1
（5分钟）
{3}--第三章
[3.1]--3.1状态密度
（12分钟）
[3.2]--3.3 电子和空穴浓度的一般表达式
（9分钟）
[3.3]--3.4 本征半导体的载流子浓度_1
（16分钟）
[3.4]--3.5 杂质补偿半导体
（12分钟）
{4}--第四章
[4.1]--4.1 载流子的漂移运动和迁移率
（12分钟）
[4.2]--4.2 迁移率与杂质浓度和温度的关系
（16分钟）
[4.3]--4.3 强电场下的效应、热载流子
（13分钟）
{5}--第五章
[5.1]--5.1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级
（17分钟）
[5.2]--5.2 复合理论
（18分钟）
[5.3]--5.3 陷阱效应
（9分钟）
[5.4]--5.4 非平衡载流子的扩散运动
（14分钟）
[5.5]--5.5 爱因斯坦关系
（9分钟）
[5.6]--5.6 连续性方程
（14分钟）
{6}--第六章
[6.1]--6.1 热平衡条件下的pn结
（14分钟）
[6.2]--6.2 pn结的伏安特性
（30分钟）
[6.3]--6.3 pn结电容和击穿
（20分钟）
{7}--第七章
[7.1]--7.1 金属半导体接触及其能级图
（11分钟）
[7.2]--7.2 金属半导体接触整流理论
（11分钟）
[7.3]--7.3 少数载流子的注入和欧姆接触
（12分钟）
{8}--第八章
[8.1]--8.1 表面电场效应
（25分钟）
[8.2]--8.2 MIS结构电容-电压特性
（15分钟）
[8.3]--8.3 硅-二氧化硅系统性质
（20分钟）
[8.4]--8.4 表面电场对pn结特性的影响
（7分钟）
{9}--第九章
[9.1]--9 异质结
（18分钟）
{10}--第十章
[10.1]--第一章
（12分钟）
[10.2]--1.2
（10分钟）
[10.3]--1.1
（9分钟）
公网安备 66030002000117号